優(yōu)化NorFlash存儲陣列面積的相關(guān)方法及系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910450923.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110164489B 公開（公告）日 2021-05-07
申請公布號 CN110164489B 申請公布日 2021-05-07
分類號 G06F113/18(2020.01)N;G06F30/392(2020.01)I;G11C5/02(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 馮一飛;王志剛 申請（專利權(quán)）人 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王寶筠
地址 519080廣東省珠海市唐家灣鎮(zhèn)大學路101號清華科技園3座305
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種優(yōu)化Nor Flash存儲陣列面積的版圖布局方法及系統(tǒng)、Nor Flash存儲器的制備方法，有效的將較大比特的待優(yōu)化Nor Flash存儲陣列版圖優(yōu)化為較小比特的目標Nor Flash存儲陣列版圖，進而通過目標Nor Flash存儲陣列版圖制作Nor Flash存儲器時，在保證縮小目標Nor Flash存儲陣列版圖的面積基礎(chǔ)上，縮小了Nor Flash存儲器的芯片尺寸；并且由于目標Nor Flash存儲陣列版圖與待優(yōu)化Nor Flash存儲陣列版圖的存儲陣列的方向一致性，可以采用同樣設(shè)備進行流片而無需設(shè)計新的流片設(shè)備，有效的降低了制備費用。??