MOS柵極器件的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410074718.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103855034A 公開（公告）日 2014-06-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN103855034A 申請(qǐng)公布日 2014-06-11
分類號(hào) H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳智勇;孫娜 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海達(dá)新半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 寧波達(dá)新半導(dǎo)體有限公司;上海達(dá)新半導(dǎo)體有限公司
地址 315400 浙江省寧波市余姚市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)城東新區(qū)冶山路479號(hào)科創(chuàng)大樓13層1306室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種MOS柵極器件的制造方法，包括步驟：在半導(dǎo)體襯底表面依次形成柵介質(zhì)層、柵極層、柵極增高層和刻蝕阻擋層。采用光刻刻蝕工藝形成柵極圖形結(jié)構(gòu)。形成體區(qū)。光刻加注入工藝形成源區(qū)。淀積側(cè)墻層。對(duì)側(cè)墻層進(jìn)行全面刻蝕并形成對(duì)寬側(cè)墻。通過光刻工藝及利用對(duì)寬側(cè)墻作自對(duì)準(zhǔn)刻蝕形成柵極開孔區(qū)和源區(qū)開孔區(qū)。淀積正面金屬層。進(jìn)行光刻刻蝕形成正面電極引出端子。本發(fā)明相對(duì)傳統(tǒng)的光掩模對(duì)準(zhǔn)工藝能減少對(duì)光刻精度的要求，同時(shí)保證對(duì)寬側(cè)墻的均勻性和一致性，從而降低由于掩膜工藝而帶來的缺陷以及對(duì)電流密度的限制，能提高器件密度從而提高集成度。另本發(fā)明中增加的刻蝕阻擋層也降低了刻蝕工藝的精度要求，降低刻蝕工藝的難度。