MOS柵極器件的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410074718.5 申請日 -
公開（公告）號 CN103855034A 公開（公告）日 2014-06-11
申請公布號 CN103855034A 申請公布日 2014-06-11
分類號 H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳智勇;孫娜 申請（專利權）人 上海達新半導體有限公司
代理機構 上海浦一知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 寧波達新半導體有限公司;上海達新半導體有限公司
地址 315400 浙江省寧波市余姚市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)城東新區(qū)冶山路479號科創(chuàng)大樓13層1306室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種MOS柵極器件的制造方法，包括步驟：在半導體襯底表面依次形成柵介質(zhì)層、柵極層、柵極增高層和刻蝕阻擋層。采用光刻刻蝕工藝形成柵極圖形結構。形成體區(qū)。光刻加注入工藝形成源區(qū)。淀積側墻層。對側墻層進行全面刻蝕并形成對寬側墻。通過光刻工藝及利用對寬側墻作自對準刻蝕形成柵極開孔區(qū)和源區(qū)開孔區(qū)。淀積正面金屬層。進行光刻刻蝕形成正面電極引出端子。本發(fā)明相對傳統(tǒng)的光掩模對準工藝能減少對光刻精度的要求，同時保證對寬側墻的均勻性和一致性，從而降低由于掩膜工藝而帶來的缺陷以及對電流密度的限制，能提高器件密度從而提高集成度。另本發(fā)明中增加的刻蝕阻擋層也降低了刻蝕工藝的精度要求，降低刻蝕工藝的難度。