絕緣柵雙極晶體管及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410055323.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103855206A 公開(kāi)（公告）日 2014-06-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN103855206A 申請(qǐng)公布日 2014-06-11
分類(lèi)號(hào) H01L29/739(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳智勇;孫娜;張海濤 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 上海達(dá)新半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 丁紀(jì)鐵
地址 315400 浙江省寧波市余姚市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)城東新區(qū)冶山路479號(hào)科創(chuàng)大樓13層1306室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種絕緣柵雙極晶體管，集電區(qū)由第一P+區(qū)和第二P-區(qū)組成，第一P+區(qū)的摻雜濃度大于第二P-區(qū)的摻雜濃度，第一P+區(qū)的結(jié)深小于第二P-區(qū)的結(jié)深，第二P-區(qū)和所述漂移區(qū)直接接觸，第一P+區(qū)和集電極背面金屬層相接觸；第一P+區(qū)和背面金屬層形成歐姆接觸從而用于減小接觸電阻、降低導(dǎo)通壓降；第二P-區(qū)用于控制集電區(qū)的注入效率，第二P-區(qū)的摻雜濃度越低、集電區(qū)的注入效率越低、絕緣柵雙極晶體管的開(kāi)關(guān)速度越快。本發(fā)明還公開(kāi)了一種絕緣柵雙極晶體管的制造方法。本發(fā)明能提高器件的開(kāi)關(guān)速度并同時(shí)降低器件的導(dǎo)通壓降。