能夠提高成膜質(zhì)量的磁控濺射制備ITO薄膜的系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710287731.2 申請日 -
公開（公告）號 CN107142452B 公開（公告）日 2019-07-23
申請公布號 CN107142452B 申請公布日 2019-07-23
分類號 C23C14/08;C23C14/35 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 易鑒榮;唐臻;林荔珊 申請（專利權）人 柳州豪祥特科技有限公司
代理機構 北京遠大卓悅知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 靳浩
地址 545616 廣西壯族自治區(qū)柳州市柳東新區(qū)官塘創(chuàng)業(yè)園研發(fā)中心2號樓511號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種能夠提高成膜質(zhì)量的磁控濺射制備ITO薄膜的系統(tǒng)，包括：依次相連的預熱腔、沉積腔、冷卻腔、成品腔和真空泵以及控制面板。所述沉積腔的兩側(cè)壁上設置有ITO靶材和磁體，所述ITO靶材的前端設置有可開合的擋板；所述沉積腔的兩側(cè)壁上均勻開設有通氣孔，且所述兩側(cè)壁上的通氣孔交錯設置，以向所述沉積腔內(nèi)通入反應氣體；所述冷卻腔的底面上設置有第二加熱板；所述成品腔內(nèi)設置有多個格柵，以將所述成品腔均勻分隔為多個隔室。其采用流水線式的制備系統(tǒng)，使得成膜效率大大提高，且成膜均勻質(zhì)量高。同時所述系統(tǒng)在成膜和冷卻步驟進行控制，進一步提高了成膜質(zhì)量。