一種抑制SiCMOSFET尖峰及串?dāng)_的驅(qū)動電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111521031.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114337201A 公開（公告）日 2022-04-12
申請公布號 CN114337201A 申請公布日 2022-04-12
分類號 H02M1/088（2006.01）I;H02M1/32（2007.01）I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 秦海鴻;彭江錦;胡昊翔;謝斯璇;卜飛飛;陳文明;戴衛(wèi)力;朱梓悅;謝利標(biāo);胡黎明 申請（專利權(quán)）人 南京開關(guān)廠股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江蘇圣典律師事務(wù)所 代理人 徐曉鷺
地址 210016江蘇省南京市秦淮區(qū)御道街29號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是關(guān)于一種抑制SiC MOSFET尖峰及串?dāng)_的驅(qū)動電路，連接于SiC MOSFET驅(qū)動電路中，驅(qū)動電路包括上下橋臂，下橋臂的第一正向、第一負(fù)向供電電源之間連接電壓圖騰柱結(jié)構(gòu)電路，電壓圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸出端連接驅(qū)動電阻電路和負(fù)壓關(guān)斷電壓上拉電路的輸入端，驅(qū)動電阻電路的輸出端連接電流抽取電路和電流注入電路的輸入端，負(fù)壓關(guān)斷電壓上拉電路的輸出端連接下橋臂SiC MOSFET的柵極相連；上橋臂除無負(fù)壓關(guān)斷電壓上拉電路外，與下橋臂對稱設(shè)置。本發(fā)明能夠充分發(fā)揮SiC MOSFET高開關(guān)速度，低損耗的性能優(yōu)勢，且在實現(xiàn)抑制開通電流、關(guān)斷電壓尖峰的同時抑制了橋臂串?dāng)_負(fù)壓關(guān)斷帶來的附加損耗。