SiC/Si混合并聯(lián)器件的柵極優(yōu)化控制方法及裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111538772.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114301269A | 公開(公告)日 | 2022-04-08 |
申請公布號 | CN114301269A | 申請公布日 | 2022-04-08 |
分類號 | H02M1/088(2006.01)I | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
發(fā)明人 | 秦海鴻;謝斯璇;紀(jì)國盛;王帥;陳文明;謝利標(biāo);胡黎明 | 申請(專利權(quán))人 | 南京開關(guān)廠股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南京經(jīng)緯專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 陸燁 |
地址 | 210016江蘇省南京市秦淮區(qū)御道街29號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種SiC/Si混合并聯(lián)器件的柵極優(yōu)化控制方法及裝置,具體為:步驟1:根據(jù)流經(jīng)SiC/Si混合并聯(lián)器的負(fù)載電流選擇開關(guān)模式;步驟2:采用迭代計算根據(jù)SiC/Si混合并聯(lián)器件的損耗計算SiC MOSFET的結(jié)溫Tj_MOS以及SiC MOSFET的結(jié)溫Tj_IGBT;步驟3:在Tj_MOS和Tj_IGBT之間選擇最大值作為參考結(jié)溫Tj,如果Tj小于預(yù)設(shè)的第一參考結(jié)溫Tref_j1,或者大于等于預(yù)設(shè)的第二參考結(jié)溫Tref_j2,則采用最小損耗控制法計算SiC/Si混合并聯(lián)器開關(guān)的開通、關(guān)斷延遲時間;否則采用熱平衡法。本發(fā)明提高了混合并聯(lián)器的效率。 |
