一種鈰離子摻雜釓鎵鋁石榴石閃爍晶體生長的裝置及工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910757109.2 申請日 -
公開(公告)號 CN112391679A 公開(公告)日 2021-02-23
申請公布號 CN112391679A 申請公布日 2021-02-23
分類號 C30B29/28(2006.01)I; 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李輝;王海麗;陳建榮;黃存新 申請(專利權(quán))人 中材人工晶體研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京志霖恒遠(yuǎn)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 趙奕
地址 100018北京市朝陽區(qū)東壩紅松園1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種鈰離子摻雜釓鎵鋁石榴石閃爍晶體生長的裝置及工藝,操作簡單,通過所述工藝中各步驟的有效設(shè)計(jì),使所得晶體長度一般為80?200mm,完整性很好,無螺旋、晶體開裂等現(xiàn)象,且晶體內(nèi)部無明顯位錯、偏析、夾雜物等缺陷,且沿晶體生長方向,在晶體毛坯上每隔20mm切割成所需晶塊(或晶棒)樣品,經(jīng)過研磨、拋光后進(jìn)行晶體的方向性和閃爍性能檢測可知,所得晶體性能優(yōu)異且一致性好,這對于該類晶體而言是技術(shù)上的重大創(chuàng)新。由于所得晶體,完整、性能優(yōu)異且一致性好,故可將其應(yīng)用于高能粒子探測、核物理、核醫(yī)學(xué)成像、安檢、工業(yè)探測任一領(lǐng)域的探測器件。??