一種ZnS基底長波紅外增透保護膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011460832.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112698430A 公開（公告）日 2021-04-23
申請公布號 CN112698430A 申請公布日 2021-04-23
分類號 G02B1/115;G02B1/14 分類 光學(xué);
發(fā)明人 張旭;錢纁;肖紅濤;黨參;滕祥紅;張克宏;石巖 申請（專利權(quán)）人 中材人工晶體研究院有限公司
代理機構(gòu) 北京柏杉松知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉繼富;王春偉
地址 100018 北京市朝陽區(qū)紅松園1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环NZnS基底長波紅外增透保護膜及其制備方法，其中ZnS基底長波紅外增透保護膜包括依次設(shè)置在所述ZnS基底上的ZnS膜層和Y2O3膜層；ZnS基底厚度：2?15mm，各膜層的厚度為：ZnS膜層：80?120nm，Y2O3膜層：1000?1300nm，Y2O3膜層從內(nèi)部到表面膜層結(jié)構(gòu)逐漸變化。制備ZnS基底長波紅外增透保護膜的方法，包括以下步驟：1)對ZnS基底進行拋光處理和表面處理；2)在所述ZnS基底上沉積ZnS膜層；3)在所述ZnS膜層上沉積Y2O3膜層，沉積開始時初始氧氬比為(2.8?3.4)：35，在沉積過程中逐漸減小氧氬比，沉積結(jié)束時氧氬比為(0.6?1.0)：35。通過所述方法制備而成的ZnS基底長波紅外增透保護膜結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性好，且在波長7.0?9.5μm的波段內(nèi)平均透過率高。