一種摻硼金剛石薄膜制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010380094.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111549331A | 公開（公告）日 | 2020-08-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111549331A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-18 |
| 分類號(hào) | C23C16/27(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 玄真武;張怡 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 中材人工晶體研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 北京中材人工晶體研究院有限公司;中材人工晶體研究院有限公司 |
| 地址 | 100018北京市朝陽區(qū)東壩紅松園一號(hào)人工晶體院 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種摻硼金剛石薄膜制備方法。在沉積腔體內(nèi)CVD金剛石沉積條件滿足沉積要求后，將沉積腔體內(nèi)用于盛裝單質(zhì)硼的坩堝加熱至使單質(zhì)硼發(fā)生升華的升華調(diào)控溫度；然后根據(jù)所述升華調(diào)控溫度、沉積腔體內(nèi)硼的蒸氣壓之間的第一對(duì)應(yīng)關(guān)系及沉積腔體內(nèi)硼的蒸氣壓與沉積腔體內(nèi)硼濃度的第二對(duì)應(yīng)關(guān)系確定所述升華調(diào)控溫度與沉積腔體內(nèi)硼濃度的第三對(duì)應(yīng)關(guān)系，進(jìn)而通過調(diào)節(jié)所述升華調(diào)控溫度實(shí)現(xiàn)沉積腔體內(nèi)摻雜硼濃度的調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)沉積腔體內(nèi)CVD金剛石沉積條件不變的情況下，通過單獨(dú)升華調(diào)控溫度實(shí)現(xiàn)控制硼源的摻雜濃度，保證沉積及摻雜效果佳，而且控制簡(jiǎn)單，操作安全、方便。?? |
