一種用于制備光學(xué)ZnS材料的CVD設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011460588.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112663024A 公開(kāi)（公告）日 2021-04-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN112663024A 申請(qǐng)公布日 2021-04-16
分類號(hào) C23C16/44;C23C16/30;C23C16/52 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 錢纁;肖紅濤;張旭;張克宏;黨參;宮月 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中材人工晶體研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京柏杉松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉繼富;王春偉
地址 100018 北京市朝陽(yáng)區(qū)紅松園1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種用于制備光學(xué)ZnS材料的CVD設(shè)備，包括沉積爐主體以及分隔設(shè)置于沉積爐主體內(nèi)部的第一爐體和第二爐體；第一爐體設(shè)置有第一坩堝和沉積腔，第二爐體設(shè)置有第二坩堝和投料裝置，第一坩堝用于盛放鋅，第二坩堝用于盛放硫，投料裝置用于向第二坩堝定時(shí)定量投放硫以控制硫的蒸發(fā)速率。通過(guò)本發(fā)明CVD設(shè)備不會(huì)引入H2S，因此能夠避免因H2S分解產(chǎn)生H離子與Zn蒸氣形成氫鋅絡(luò)合物而影響ZnS材料的透過(guò)率和發(fā)射率，通過(guò)該設(shè)備制備的ZnS材料具有低發(fā)射率的特點(diǎn)，從而使ZnS材料能夠應(yīng)用于更高的溫度條件下，擴(kuò)大了光學(xué)ZnS材料的應(yīng)用范圍。