一種溴化鑭閃爍晶體的生長(zhǎng)方法及所得晶體

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201710494746.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107287657B 公開(kāi)（公告）日 2019-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN107287657B 申請(qǐng)公布日 2019-10-08
分類(lèi)號(hào) C30B29/12;C30B11/02 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 王海麗;陳建榮;黃存新;楊春和;韓加紅 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 中材人工晶體研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京中材人工晶體研究院有限公司;中材人工晶體研究院有限公司
地址 100018 北京市朝陽(yáng)區(qū)東壩紅松園1號(hào)院
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種溴化鑭閃爍晶體的生長(zhǎng)方法，包括以下操作：將原料裝入坩堝內(nèi)，放置于下降爐中進(jìn)行加熱熔化，然后坩堝不動(dòng)，爐體緩慢移動(dòng)，從而使坩堝通過(guò)溫度梯度區(qū)，使原料在坩堝底部結(jié)晶，隨著爐體的連續(xù)移動(dòng)，晶體沿著與爐體運(yùn)動(dòng)相同的方向逐漸長(zhǎng)大。利用本發(fā)明提出的生長(zhǎng)方法，坩堝不動(dòng)，靠爐體的移動(dòng)實(shí)現(xiàn)晶體生長(zhǎng)，可有效避免傳統(tǒng)LaBr3:Ce閃爍晶體生長(zhǎng)方法中因引下裝置的微小振動(dòng)對(duì)晶體生長(zhǎng)干擾而引入的包裹體、氣泡等雜質(zhì)，可顯著提高晶體的光學(xué)質(zhì)量，特別適合大尺寸、高光學(xué)質(zhì)量LaBr3:Ce閃爍晶體的生長(zhǎng)。