一種溴化鑭閃爍晶體的生長方法及所得晶體

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710494746.6 申請日 -
公開（公告）號 CN107287657B 公開（公告）日 2019-10-08
申請公布號 CN107287657B 申請公布日 2019-10-08
分類號 C30B29/12;C30B11/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王海麗;陳建榮;黃存新;楊春和;韓加紅 申請（專利權(quán)）人 中材人工晶體研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京中材人工晶體研究院有限公司;中材人工晶體研究院有限公司
地址 100018 北京市朝陽區(qū)東壩紅松園1號院
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種溴化鑭閃爍晶體的生長方法，包括以下操作：將原料裝入坩堝內(nèi)，放置于下降爐中進(jìn)行加熱熔化，然后坩堝不動，爐體緩慢移動，從而使坩堝通過溫度梯度區(qū)，使原料在坩堝底部結(jié)晶，隨著爐體的連續(xù)移動，晶體沿著與爐體運(yùn)動相同的方向逐漸長大。利用本發(fā)明提出的生長方法，坩堝不動，靠爐體的移動實現(xiàn)晶體生長，可有效避免傳統(tǒng)LaBr3:Ce閃爍晶體生長方法中因引下裝置的微小振動對晶體生長干擾而引入的包裹體、氣泡等雜質(zhì)，可顯著提高晶體的光學(xué)質(zhì)量，特別適合大尺寸、高光學(xué)質(zhì)量LaBr3:Ce閃爍晶體的生長。