半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110377967.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112897457A 公開（公告）日 2021-06-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN112897457A 申請(qǐng)公布日 2021-06-04
分類號(hào) B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 萬(wàn)蔡辛;何政達(dá);趙成龍;蔣櫻 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫韋感半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;張靖琳
地址 江蘇省無(wú)錫市新區(qū)區(qū)菱湖大道111號(hào)無(wú)錫軟件園天鵝座C棟5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法包括在襯底上依次形成犧牲層和結(jié)構(gòu)層；以及在所述犧牲層的側(cè)壁上形成金屬層，其中，所述犧牲層和所述結(jié)構(gòu)層上形成有臺(tái)階結(jié)構(gòu)；通過(guò)濺射生長(zhǎng)的方式在所述臺(tái)階結(jié)構(gòu)上形成所述金屬層。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件及其制造方法，采用金屬層保護(hù)不希望去除的犧牲層，金屬層的覆蓋性和致密性好，保護(hù)效果好。