一種非接觸電流傳感器及其使用方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202010730248.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN111856105A | 公開(公告)日 | 2020-10-30 |
申請公布號 | CN111856105A | 申請公布日 | 2020-10-30 |
分類號 | G01R15/14(2006.01)I | 分類 | - |
發(fā)明人 | 劉景毅;錢陽;李燕南;高秀衛(wèi);李定朋;高新春 | 申請(專利權(quán))人 | 國創(chuàng)時(shí)代(北京)地磁導(dǎo)航通信技術(shù)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 102101北京市延慶區(qū)康莊鎮(zhèn)康祥路10號院2號樓(中關(guān)村延慶園) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請?zhí)峁┮环N非接觸電流傳感器,包括GMI磁傳感器、屏蔽體、電路處理模塊以及單片機(jī);所述GMI磁傳感器、電路處理模塊與單片機(jī)電連接;所述GMI磁傳感器具有探頭,所述探頭能夠檢測到被測物體產(chǎn)生的磁場信息,所述電路處理模塊和單片機(jī)能夠?qū)⒋艌鲂畔⑥D(zhuǎn)化為檢測數(shù)值;所述探頭設(shè)置在屏蔽體內(nèi)部,所述屏蔽體為具有一定厚度的高磁導(dǎo)率的金屬盒體。本申請還提供一種上述非接觸電流傳感器的使用方法,步驟為:根據(jù)待測物體能夠產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度的最大值,得到符合要求的屏蔽體;將GMI磁傳感器的探頭設(shè)置在屏蔽體內(nèi)部;將非接觸電流傳感器放置在待測物體的旁邊;給非接觸電流傳感器通電,得到待測物體的檢測數(shù)值。本申請?zhí)岣吡穗娏鳈z測效率。?? |
