一種溝槽的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111326597.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114220766A 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN114220766A 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 雷鵬 申請（專利權(quán)）人 杭州富芯半導體有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 310000浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號1-1301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種溝槽的制備方法，在半導體襯底上先形成第一電介質(zhì)層，并刻蝕第一電介質(zhì)層形成第一溝槽，而后形成填充第一溝槽的犧牲層，之后再形成第二電介質(zhì)層，并刻蝕第二電介質(zhì)層形成顯露犧牲層的第二溝槽，而后去除犧牲層，形成第一溝槽及第二溝槽相貫通的溝槽，從而本發(fā)明通過分步沉積及分步刻蝕電介質(zhì)層的方法，可制備具有高深寬比的溝槽，且制備工藝簡單，操作難度低，且工藝精度高，還可有效減少產(chǎn)品缺陷風險，提升產(chǎn)品良率。