監(jiān)測(cè)刻蝕腔體顆粒的方法、裝置、服務(wù)器及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111451988.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114324187A 公開（公告）日 2022-04-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN114324187A 申請(qǐng)公布日 2022-04-12
分類號(hào) G01N21/25（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 沈志欽 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州富芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 310000浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號(hào)1-1301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種監(jiān)測(cè)刻蝕腔體顆粒的方法、裝置、服務(wù)器及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，在對(duì)刻蝕機(jī)臺(tái)進(jìn)行WAC工藝時(shí)，通過光譜EPD模塊獲取刻蝕機(jī)臺(tái)內(nèi)光譜信號(hào)強(qiáng)度隨時(shí)間變化的EPD曲線，并通過對(duì)EPD曲線進(jìn)行微分處理，可獲取EPD微分曲線，并通過獲取EPD曲線中的峰值信號(hào)及對(duì)峰值信號(hào)的分析，即可對(duì)刻蝕腔體進(jìn)行顆粒掉落的判定；本發(fā)明通過光譜EPD模塊可直接監(jiān)測(cè)刻蝕腔體內(nèi)在進(jìn)行WAC工藝時(shí)，是否有顆粒掉落，從而便于后續(xù)工藝操作，可減少人力，提高判定準(zhǔn)確率，避免由于顆粒掉落對(duì)刻蝕腔體及晶圓的污染，從而可提高監(jiān)測(cè)效率，降低損失，降低對(duì)晶圓質(zhì)量的影響程度。