一種MOS器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111406269.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114220851A 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN114220851A 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 余祺 申請（專利權(quán)）人 杭州富芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉星
地址 310000浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號1-1301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種MOS器件及其制作方法，該方法包括以下步驟：提供一襯底，所述襯底中設(shè)有在水平方向上間隔設(shè)置的源區(qū)與漏區(qū)；形成三明治結(jié)構(gòu)于所述襯底上，所述三明治結(jié)構(gòu)包括自下而上依次堆疊的第一SiO2層、高K介質(zhì)層及第二SiO2層；形成凹槽，所述凹槽自所述第二SiO2層的上表面開口并往下延伸至所述高K介質(zhì)層中，所述凹槽在水平方向上位于所述源區(qū)與所述漏區(qū)之間，且在所述源區(qū)指向所述漏區(qū)的方向上，所述凹槽兩端的深度小于中間的深度；形成柵極導(dǎo)電層，所述柵極導(dǎo)電層位于所述第二SiO2層上，并填充進(jìn)所述凹槽中，所述柵極導(dǎo)電層的寬度大于所述凹槽的寬度；形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)于所述柵極導(dǎo)電層的側(cè)壁。本發(fā)明可以在不影響開啟電壓的情況下提高器件的耐壓性能。