一種晶圓的離子注入方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111539094.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114334633A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114334633A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-04-12 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/265（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳展奮;李梅霞;藍(lán)玉國(guó) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 杭州富芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉星 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號(hào)1-1301 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種晶圓的離子注入方法，包括以下步驟：將晶圓放置于離子注入機(jī)臺(tái)的晶圓耙盤(pán)上；對(duì)晶圓依次進(jìn)行N次離子注入直至達(dá)到預(yù)設(shè)離子注入劑量，其中，N為大于1的整數(shù)，且每次離子注入完畢之后，先將晶圓繞晶圓的中心軸往同一方向旋轉(zhuǎn)360/N度后再進(jìn)行下一次離子注入，所述中心軸經(jīng)過(guò)晶圓的中心，且垂直于晶圓所在平面。本發(fā)明的晶圓的離子注入方法對(duì)離子注入工藝的流程進(jìn)行了改進(jìn)，將離子注入過(guò)程分為多次進(jìn)行，每次離子注入完畢后，將晶圓旋轉(zhuǎn)360/N度后再進(jìn)行下一次離子注入，可以有效消除束流微小角度偏差給產(chǎn)品帶來(lái)的影響，可以簡(jiǎn)易而有效地提升晶圓離子注入均勻性，從而提升了產(chǎn)品的良率，降低了產(chǎn)品報(bào)廢風(fēng)險(xiǎn)以及設(shè)備的利用率。 |
