具有MIM電容器的半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111327784.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114220917A 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN114220917A 申請公布日 2022-03-22
分類號 H01L49/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹文康 申請（專利權(quán)）人 杭州富芯半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 310000浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號1-1301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種具有MIM電容器的半導(dǎo)體器件及制備方法。制備方法包括：提供襯底，于襯底上依次形成底電極層和第一介質(zhì)層；在第一掩膜的作用下對第一介質(zhì)層進(jìn)行光刻刻蝕，以形成位于MIM電容區(qū)的MIM電容器通孔和位于非MIM電容區(qū)的導(dǎo)電插塞通孔；依次形成互連金屬層和第二介質(zhì)層；進(jìn)行表面平坦化處理以去除MIM電容器通孔及導(dǎo)電插塞外的互連金屬層和第二介質(zhì)層；在第二掩膜的作用下，于MIM電容器通孔的第二介質(zhì)層表面和導(dǎo)電插塞的表面形成上極板金屬層，位于MIM電容器通孔內(nèi)的互連金屬層、第二介質(zhì)層和上極板金屬層構(gòu)成MIM電容器，MIM電容器的上極板金屬層和導(dǎo)電插塞表面的上極板金屬層相互電隔離。本發(fā)明通過減少掩膜的使用可降低生產(chǎn)成本和提高生產(chǎn)效率。