一種濕法化學(xué)腐蝕LED表面粗化工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110062007.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102185040A 公開(kāi)（公告）日 2011-09-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN102185040A 申請(qǐng)公布日 2011-09-14
分類(lèi)號(hào) H01L33/00(2010.01)I;C23F1/02(2006.01)I;C23F1/30(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 張志強(qiáng) 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 浙江長(zhǎng)興立信光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州華鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 胡根良
地址 313118 浙江省湖州市長(zhǎng)興縣白峴鄉(xiāng)西北工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種濕法化學(xué)腐蝕LED表面粗化工藝，首先在LED出光層GaN的表面覆蓋上光刻膠，然后在光刻膠膜掩膜的保護(hù)下用化學(xué)濕法腐蝕，其中化學(xué)濕法腐蝕的腐蝕液為王水和去離子水的混合液。所述腐蝕液中王水和去離子水的體積比為(3～5)∶1。本發(fā)明用王水和去離子水組成的混合液對(duì)LED表面進(jìn)行濕法化學(xué)腐蝕，這種表面粗化法可以抑制全反射提高光提取效率，粗化后在出光表面小坑直徑大小為6μm，密度為孔心距20μm，深度為2-4μm，且小坑側(cè)壁坡度在45°至60°之間時(shí)，對(duì)出光效率的提高很多，最多可獲得29％的光強(qiáng)提高。