采用流化床反應(yīng)器制備高純度多晶硅顆粒的方法及裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010116785.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101780956B 公開（公告）日 2012-06-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN101780956B 申請(qǐng)公布日 2012-06-27
分類號(hào) C01B33/03(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B35/00(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I;B01J8/24(2006.01)I 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 王鐵峰;王晨靜;魏飛;汪展文;楊海建 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 洛陽世紀(jì)新源硅業(yè)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 邸更巖
地址 100084 北京市100084信箱82分箱清華大學(xué)專利辦公室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 采用流化床反應(yīng)器制備高純度多晶硅顆粒的方法及裝置，在流化床反應(yīng)器內(nèi)設(shè)置導(dǎo)流筒，將反應(yīng)器分為加熱區(qū)和反應(yīng)區(qū)兩部分，導(dǎo)流筒與反應(yīng)器壁間的環(huán)隙區(qū)為加熱區(qū)，導(dǎo)流筒內(nèi)為反應(yīng)區(qū)。在反應(yīng)器內(nèi)加入硅粉顆粒形成床層，通過調(diào)節(jié)加熱區(qū)和反應(yīng)區(qū)的流化氣速使加熱區(qū)和反應(yīng)區(qū)床層的固相體積百分含量在流化后不同，從而實(shí)現(xiàn)顆粒在加熱區(qū)和反應(yīng)區(qū)之間的循環(huán)流動(dòng)，并調(diào)節(jié)顆粒的循環(huán)速率。在加熱區(qū)通入不含硅的流化氣體，設(shè)置加熱元件把硅粉顆粒加熱，多晶硅顆粒通過反應(yīng)器內(nèi)導(dǎo)流筒下部的連通區(qū)域在加熱區(qū)與反應(yīng)區(qū)之間循環(huán)流動(dòng)。由于僅在反應(yīng)區(qū)通入含硅氣體，本發(fā)明技術(shù)具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，壁面沉積少，能耗低等優(yōu)點(diǎn)。