高速緩存內(nèi)容尋址存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)芯片封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110971320.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113421879A 公開（公告）日 2021-09-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN113421879A 申請(qǐng)公布日 2021-09-21
分類號(hào) H01L25/18（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;G11C15/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡楠;孔劍平;王琪;李炳博 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江毫微米科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陳超德;吳昊
地址 310000浙江省杭州市江干區(qū)解放東路29號(hào)迪凱銀座30層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種高速緩存內(nèi)容尋址存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)芯片封裝結(jié)構(gòu)，高速緩存內(nèi)容尋址存儲(chǔ)器包括三態(tài)內(nèi)容尋址存儲(chǔ)器、封裝層和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器裸芯；各所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器裸芯堆疊設(shè)置，各所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器裸芯堆疊形成堆疊存儲(chǔ)器；所述三態(tài)內(nèi)容尋址存儲(chǔ)器與所述堆疊存儲(chǔ)器中的一所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器裸芯電性連接；所述三態(tài)內(nèi)容尋址存儲(chǔ)器與所述封裝層電性連接，所述堆疊存儲(chǔ)器中的一所述動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器裸芯與所述封裝層電性連接。通過將三態(tài)內(nèi)容尋址存儲(chǔ)器和至少兩個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器裸芯封裝于高速緩存內(nèi)容尋址存儲(chǔ)器內(nèi)，能夠有效提高存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)和讀取速度，并且有效提高了容量。