一種雙基島單個(gè)異形散熱片外露引線框架
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111398290.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114023717A | 公開(公告)日 | 2022-02-08 |
申請公布號 | CN114023717A | 申請公布日 | 2022-02-08 |
分類號 | H01L23/495(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 孫亞麗;崔衛(wèi)兵;鄧旭東;張進(jìn)兵;張易勒 | 申請(專利權(quán))人 | 天水華天科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 張宇鴿 |
地址 | 741000甘肅省天水市秦州區(qū)雙橋路14號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明屬于微電子組裝與封裝技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種雙基島單個(gè)異形散熱片外露引線框架。包括引線框架本體和引線框架結(jié)構(gòu),其中引線框架本體為矩形結(jié)構(gòu),設(shè)置于所述引線框架本體上,包含若干列引線框架組,每列引線框架組包含若干個(gè)引線框架結(jié)構(gòu)最小單元,若干個(gè)引線框架結(jié)構(gòu)最小單元豎直分布,自上而下依次設(shè)置。此外本發(fā)明還包括兩個(gè)基島和三種引腳,并通過引線框架基島的不同下沉深度設(shè)計(jì),保證了IC芯片與MOS芯片合封時(shí),有效的實(shí)現(xiàn)了只需要大功率MOS芯片的外露散熱,保證產(chǎn)品高散熱需求。同時(shí)IC芯片為全包封結(jié)構(gòu),在塑封時(shí)可以保證上下模流平衡,防止沖線,阻止塑封體內(nèi)部沙眼氣孔等質(zhì)量問題,有效實(shí)現(xiàn)了IC芯片基島不外露來保障產(chǎn)品可靠性。 |
