薄膜體聲波諧振器和濾波器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910231636.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN109756201A 公開（公告）日 2019-05-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN109756201A 申請(qǐng)公布日 2019-05-14
分類號(hào) H03H3/02（2006.01）I; H03H3/04（2006.01）I; H03H9/02（2006.01）I; H03H9/17（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 劉紹侃; 李善斌; 史曉婷; 霍俊標(biāo); 張雪奎; 董謙 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京中訊四方科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市恒申知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 深圳華遠(yuǎn)微電科技有限公司; 北京中訊四方科技股份有限公司
地址 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)沙井街道新二社區(qū)莊村路5號(hào)D、E棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種薄膜體聲波諧振器和薄膜體聲波濾波器。本發(fā)明薄膜體聲波諧振器包括硅襯底、支撐層、第一底電極層、溫飄層和三明治壓電堆結(jié)構(gòu)，所述支撐層層疊結(jié)合在所述襯底的開設(shè)有所述凹槽的所述表面上，并由所述支撐層和凹槽圍合成封閉的空腔，所述第一底電極層層疊結(jié)合在所述支撐層的背離所述襯底的表面上，所述溫飄層疊結(jié)合在所述第一底電極的背離所述支撐層的表面上，所述三明治壓電堆結(jié)構(gòu)層疊在所述溫飄層的背離所述第一底電極層的表面上。所述薄膜體聲波濾波器包括所述薄膜體聲波諧振器。本發(fā)明薄膜體聲波濾波器和諧振器耗低、溫度系數(shù)小、溫飄低、功率承受力高、工作頻率高、機(jī)電耦合系數(shù)高、兼容性好，而且具有很好的Q值。