用于解決碳化硅晶圓化學(xué)機械拋光后產(chǎn)生局部高點的方法、陶瓷盤、化學(xué)機械拋光裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110988094.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113681456A 公開（公告）日 2021-11-23
申請公布號 CN113681456A 申請公布日 2021-11-23
分類號 B24B37/10;B24B37/30;H01L21/02;H01L21/67 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 劉少華;李坤寧;楊興嬌;李雪濤;趙煥君;崔景光 申請（專利權(quán)）人 河北同光科技發(fā)展有限公司
代理機構(gòu) 北京連城創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 許莉
地址 071051 河北省保定市北三環(huán)6001號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種用于解決碳化硅晶圓化學(xué)機械拋光后產(chǎn)生局部高點的方法、一種陶瓷盤及應(yīng)用其的化學(xué)機械拋光裝置，涉及碳化硅晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域，通過改變陶瓷盤貼片區(qū)域的形狀來達到改變晶圓局部受力分布，從而研磨去除掉晶圓局部高點。本發(fā)明所述的用于解決碳化硅晶圓化學(xué)機械拋光后產(chǎn)生局部高點的方法，通過車床將陶瓷盤的貼片區(qū)域車成與晶圓形狀一致的凹形曲面，且從圓形的貼片區(qū)域的邊緣向中心逐漸下凹1~10um，以使設(shè)備的壓力部件施加壓力到陶瓷盤時，貼片區(qū)域的邊緣區(qū)域壓力比中心區(qū)域壓力高。