一種低缺陷密度SiC單晶的制備裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021500700.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN212451746U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-02-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212451746U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-02 |
| 分類號(hào) | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 劉新輝;楊昆;張福生;路亞娟;牛曉龍;尚遠(yuǎn)航 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 河北同光科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京連城創(chuàng)新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 許莉 |
| 地址 | 071051河北省保定市北三環(huán)6001號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種低缺陷密度SiC單晶的制備裝置，屬于SiC晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域，該裝置包括：坩堝、保溫層、外加熱器和上加熱器，其中，所述坩堝位于保溫層內(nèi)；所述外加熱器位于所述保溫層外側(cè)；所述上加熱器位于所述坩堝頂蓋的上部，配合所述外加熱器反復(fù)反轉(zhuǎn)SiC籽晶生長(zhǎng)熱場(chǎng)的軸向溫度梯度，使SiC籽晶晶體表面每經(jīng)歷一段時(shí)間的微升華和微再結(jié)晶的近平衡狀態(tài)后，再繼續(xù)生長(zhǎng)，周而復(fù)始，直到完成生長(zhǎng)。使用本實(shí)用新型裝置生長(zhǎng)出來(lái)的晶體，微管、位錯(cuò)等缺陷密度得到了有效降低，晶體質(zhì)量大大提高。?? |
