一種碳化硅晶片化學(xué)機(jī)械拋光后表面保護(hù)方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010691694.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111883416A 公開（公告）日 2020-11-03
申請公布號 CN111883416A 申請公布日 2020-11-03
分類號 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔景光;李永超;高彥靜;曹寶紅;李琦 申請（專利權(quán)）人 河北同光科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京連城創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 許莉
地址 071051河北省保定市北三環(huán)6001號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種碳化硅晶片化學(xué)機(jī)械拋光后表面保護(hù)方法，包括如下步驟：1）將多線切割后的晶片進(jìn)行機(jī)械加工處理，2）將氫氟酸溶液稀釋到一定濃度后備用，3）將所述步驟1）中加工處理后的晶片放置于稀釋后的氫氟酸溶液中，靜置一段時間，4）將所述步驟3）中靜置完成后的晶片取出用純水徹底沖洗，5）將沖洗后的晶片進(jìn)行干燥處理后將其轉(zhuǎn)移至檢測臺進(jìn)行檢測。本發(fā)明的氫氟酸溶液對拋光后的碳化硅晶片進(jìn)行清洗可以抑制氧化膜的形成，降低了下道工序的工作難度，提高了生產(chǎn)效率。??