高純半絕緣SiC單晶的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010691891.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111893564A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-11-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111893564A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-06 |
| 分類(lèi)號(hào) | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 分類(lèi) | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 楊昆;路亞娟;牛曉龍;劉新輝;張福生 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 河北同光科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京連城創(chuàng)新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 許莉 |
| 地址 | 071051河北省保定市北三環(huán)6001號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)一種高純半絕緣SiC單晶的制備方法，涉及SiC單晶的生長(zhǎng)制備技術(shù)領(lǐng)域，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中針對(duì)石墨部件及多晶原料所吸附氮?dú)庠诟邷厣L(zhǎng)過(guò)程中解吸附而導(dǎo)致高純半絕緣SiC單晶產(chǎn)率下降的技術(shù)問(wèn)題。本發(fā)明所述的高純半絕緣SiC單晶的制備方法，將籽晶及SiC多晶原料分別置于生長(zhǎng)腔的兩端，采用物理氣相傳輸方法生長(zhǎng)單晶，其包括兩次生長(zhǎng)過(guò)程：第一次生長(zhǎng)采用假片籽晶，第二次生長(zhǎng)籽晶采用單晶SiC晶片，且第二次生長(zhǎng)溫度較第一次生長(zhǎng)溫度低50?150℃。本發(fā)明主要應(yīng)用于高純半絕緣單晶的制備中。?? |
