一種高質(zhì)量大直徑SiC單晶的制備裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021499230.4 申請日 -
公開（公告）號 CN212771047U 公開（公告）日 2021-03-23
申請公布號 CN212771047U 申請公布日 2021-03-23
分類號 C30B29/36(2006.01)I;C30B23/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉新輝;楊昆;張福生;路亞娟;牛曉龍;尚遠(yuǎn)航 申請（專利權(quán)）人 河北同光科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京連城創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 許莉
地址 071051河北省保定市北三環(huán)6001號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種高質(zhì)量大直徑SiC單晶的制備裝置，屬于SiC晶體生長領(lǐng)域，該裝置包括坩堝、保溫層、加熱裝置和多孔石墨桶；其中，所述坩堝位于保溫層內(nèi)；所述加熱裝置位于所述保溫層的外側(cè)；籽晶和所述多孔石墨桶位于坩堝內(nèi)，與坩堝同軸；本實(shí)用新型SiC生長組分采用從坩堝外側(cè)的原料到內(nèi)側(cè)的籽晶的輸運(yùn)方式，晶體生長的過程就是自然擴(kuò)徑過程，晶體直徑擴(kuò)大不受限制，同時(shí)晶體沿非極性生長面生長，穿透位錯(cuò)密度相比沿C軸生長大大降低；挨著坩堝壁而受熱碳化的SiC原料產(chǎn)生的C顆粒被內(nèi)側(cè)的SiC原料和多孔石墨層有效阻擋，減少了晶體中的C包裹物，晶體質(zhì)量得到了有效提高。??