碳化硅單晶快速擴(kuò)徑生長系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021415249.6 申請日 -
公開（公告）號 CN212451745U 公開（公告）日 2021-02-02
申請公布號 CN212451745U 申請公布日 2021-02-02
分類號 C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張福生;楊昆;劉新輝;牛曉龍;路亞娟;尚遠(yuǎn)航 申請（專利權(quán)）人 河北同光科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京連城創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 許莉
地址 071051河北省保定市北三環(huán)6001號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開一種碳化硅單晶快速擴(kuò)徑生長系統(tǒng)，涉及半導(dǎo)體晶體生長技術(shù)領(lǐng)域，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中在保證結(jié)晶質(zhì)量的前提下，無法較好地實現(xiàn)碳化硅單晶的快速擴(kuò)徑的問題。本實用新型提供的碳化硅單晶快速擴(kuò)徑生長系統(tǒng)，包括：坩堝桶，所述坩堝桶具有金屬或金屬化合物涂層；坩堝蓋，所述坩堝蓋置于所述坩堝桶的頂端，且所述坩堝桶具有金屬或金屬化合物涂層；導(dǎo)流板，所述導(dǎo)流板置于所述坩堝桶的內(nèi)部，且所述導(dǎo)流板具有金屬或金屬化合物涂層；所述導(dǎo)流板用于將所述坩堝桶的內(nèi)部分為兩個不同體積的區(qū)域，且所述導(dǎo)流板位于生長腔的部分有用于調(diào)整組份流方向的彎角。??