一種MOS管的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110525828.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113284805A 公開（公告）日 2021-08-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN113284805A 申請(qǐng)公布日 2021-08-20
分類號(hào) H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐曉輝;楊偉勛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市吉利通電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市中融創(chuàng)智專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄒藍(lán);葉垚平
地址 518103 廣東省深圳市寶安區(qū)福永街道寶安大道6259號(hào)同泰時(shí)代中心2棟B座502
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種MOS管的制造方法，包括步驟S1：在襯底的表面形成外延層；步驟S2：在外延層的表面依次形成溝槽、柵氧化層以及多晶硅層；步驟S3：淀積多晶硅層，去除溝槽之外的多晶硅層，在外延層的依次表面形成第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，第二摻雜區(qū)設(shè)置在溝槽的外表面，第一摻雜區(qū)與柵氧化層的間隔距離等于第二摻雜區(qū)的寬度，所述第二摻雜區(qū)的摻雜濃度小于所述第一摻雜區(qū)的摻雜濃度；步驟S4：在第一摻雜區(qū)的表層形成第三摻雜區(qū)，第三摻雜區(qū)的深度小于所述第一摻雜區(qū)的深度，第三摻雜區(qū)的深度小于所述第二摻雜區(qū)的深度。本發(fā)明提供的MOS管的制造方法具有更小的單位面積導(dǎo)通電阻、成本更低等優(yōu)點(diǎn)。