一種低壓低漏流高效保護(hù)芯片制造工藝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010767349.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111863603A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-10-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111863603A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-30 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/225(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 崔文榮 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 江蘇晟馳微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京天盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 江蘇晟馳微電子有限公司 |
| 地址 | 226600江蘇省南通市海安經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)康華路55號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種低壓低漏流高效保護(hù)芯片制造工藝，涉及芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種低壓低漏流高效保護(hù)芯片制造工藝，包括以下步驟：S1、擴(kuò)散前處理；S2、氧化；S3、光刻；S4、雙面開(kāi)管磷沉積；S5、開(kāi)管擴(kuò)磷；S6、蝕刻溝槽；S7、電泳鈍化；S8、完成芯片制造。該低壓低漏流高效保護(hù)芯片制造工藝通過(guò)芯片表面高濃度N+層有助于提升抗浪涌能力，溝道擴(kuò)散有助于降低漏電，電泳的致密性薄層提升可靠性；芯片采取臺(tái)面工藝，增加N型區(qū)耗盡層結(jié)構(gòu)，改變了N型擴(kuò)散區(qū)的濃度結(jié)構(gòu)曲線(xiàn)，利用N型擴(kuò)散區(qū)耗盡層寬度的附加耐壓，增加了P+區(qū)寬度；增寬了高導(dǎo)電率區(qū)域，增強(qiáng)了P+區(qū)對(duì)P基區(qū)發(fā)射電子的能力。?? |
