一種大功率放電管芯片制造工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110587509.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113314410A 公開（公告）日 2021-08-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN113314410A 申請(qǐng)公布日 2021-08-27
分類號(hào) H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔文榮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇晟馳微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 丁桂紅
地址 226600江蘇省南通市海安經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)康華路55號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種大功率放電管芯片制造工藝，針對(duì)現(xiàn)有的放電管芯片制作方式復(fù)雜，且制作芯片漏電流高，電容值高，高溫反偏性能弱，抗浪涌能力弱的問題，現(xiàn)提出如下方案，其包括以下步驟：S1：擴(kuò)散前處理；S2：氧化；S3：?jiǎn)蜗蚬饪蹋籗4：低溫氧化；S5：離子注入；S6：氧化表面處理；S7：光刻處理；S8：測(cè)試，所述S1中準(zhǔn)備并采用N型單晶硅片，通過酸、SC3#配方清洗工序，對(duì)硅片表面進(jìn)行化學(xué)處理。本發(fā)明設(shè)計(jì)成正面TSS，背面TVS與AK系列TVS合并封裝成一種保護(hù)器件，漏電流低，電容值低，高溫反偏性能強(qiáng)，抗浪涌能力強(qiáng)。