一種手機VBAT端低壓保護芯片制造工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110584920.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113314409A 公開（公告）日 2021-08-27
申請公布號 CN113314409A 申請公布日 2021-08-27
分類號 H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔文榮 申請（專利權(quán)）人 江蘇晟馳微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京天盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 丁桂紅
地址 226600江蘇省南通市海安經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)康華路55號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種手機VBAT端低壓保護芯片制造工藝，針對現(xiàn)有的芯片制作漏電流大，高溫反偏及抗浪涌能力弱問題，現(xiàn)提出如下方案，其包括以下工藝步驟：S1：擴散前處理；S2：氧化；S3：光刻；S4：P+硼擴散；S5：N+淀積；S6：對氧化片加工；S7：對硅片進行加工，所述S1中準(zhǔn)備并采用N型單晶硅片，通過酸、SC3#配方清洗工序，對硅片表面進行化學(xué)處理。本發(fā)明使用干法加濕法共同生長的氧化層作為隔離層，降低PN結(jié)側(cè)面漏電；選用專用合適的N型襯底新材料，使用平面氧化層工藝降低漏電流；根據(jù)產(chǎn)品需求選用特定電阻率N型拋光片，背面采用合適的吸雜降低漏電。