一種單向負阻型TVS芯片制造工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110584930.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113270318A 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN113270318A 申請公布日 2021-08-17
分類號 H01L21/329（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔文榮 申請（專利權(quán)）人 江蘇晟馳微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京天盾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 丁桂紅
地址 226600江蘇省南通市海安經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)康華路55號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于TVS芯片制造領(lǐng)域，尤其是一種單向負阻型TVS芯片制造工藝，針對現(xiàn)有的單向負阻型TVS芯片不具有雙向TVS二極管的低鉗位電壓和低擊穿電壓的優(yōu)點，不具有單向TVS負向浪涌鉗位電壓低的優(yōu)點的問題，現(xiàn)提出如下方案，其包括以下步驟：S1、擴散前處理：采用P型單晶硅片，通過酸、SC3#配方清洗工序，對硅片表面進行化學(xué)處理；S2、初氧：使用氫氧合成工藝完成初氧；S3、基區(qū)光刻：正面基區(qū)光刻，背面輔助區(qū)域光刻；S4、磷預(yù)擴：雙面補磷；S5、去雙面氧化層；S6、背面補硼，本發(fā)明具有雙向TVS二極管的低鉗位電壓和低擊穿電壓的優(yōu)點，又具有單向TVS負向浪涌鉗位電壓低的優(yōu)點。