一種快充電源及接口浪涌保護(hù)芯片制造工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011619747.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112820698A 公開（公告）日 2021-05-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN112820698A 申請(qǐng)公布日 2021-05-18
分類號(hào) H01L21/822;H01L27/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔文榮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇晟馳微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 丁桂紅
地址 226600 江蘇省南通市海安經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)康華路55號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及快充電源及信息通信接口保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種快充電源及接口浪涌保護(hù)芯片制造工藝，包括以下步驟：步驟一：擴(kuò)散前處理，采用P型單晶硅片，通過(guò)酸、SC3#配方清洗等工序，對(duì)硅片表面進(jìn)行化學(xué)處理。該快充電源及接口浪涌保護(hù)芯片制造工藝，通過(guò)進(jìn)行氧化、光刻、N?磷擴(kuò)散、N+淀積、對(duì)氧化片進(jìn)行光刻以及硅片上蒸發(fā)TI、NI、AG金屬，通過(guò)金屬光刻工藝刻出所需的焊接電極的工藝能夠?qū)υ谄漭^寬的N?區(qū)塊能夠提高PN結(jié)側(cè)邊擊穿電壓，降低邊緣漏電，且平面氧化層工藝能夠很好的保護(hù)PN結(jié)，加大有源區(qū)面積提高抗浪涌能力，且通過(guò)使用干法加濕法共同生長(zhǎng)的氧化層作為隔離層，降低PN結(jié)側(cè)面漏電的情況。