超級(jí)結(jié)制作方法及超級(jí)結(jié)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011460905.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112635326A 公開(kāi)（公告）日 2021-04-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN112635326A 申請(qǐng)公布日 2021-04-09
分類號(hào) H01L21/336;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顧冬梅;黃繼頗;楊維 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 安徽賽騰微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 董杰
地址 241000 安徽省蕪湖市弋江區(qū)服務(wù)外包產(chǎn)業(yè)園4號(hào)樓14層北側(cè)1401、1402、1403室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種超級(jí)結(jié)制作方法及超級(jí)結(jié)，該方法包括：提供一半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底表面形成有具有第一導(dǎo)電類型摻雜的第一外延層，在第一外延層上形成具有刻蝕窗口的掩膜層，通過(guò)掩膜層在第一外延層內(nèi)形成垂直的淺溝槽，然后利用淺溝槽的自對(duì)準(zhǔn)，在淺溝槽底部的第一外延層進(jìn)行多次第二導(dǎo)電類型的離子注入，然后去除掩膜層，進(jìn)行熱推進(jìn)，將第二導(dǎo)電類型摻雜進(jìn)行擴(kuò)散，在淺溝槽與半導(dǎo)體襯底之間形成第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)，第二導(dǎo)電類型摻雜區(qū)與淺溝槽垂直對(duì)準(zhǔn)，然后在前溝槽內(nèi)填充具有第二導(dǎo)電類型摻雜的第二外延層，形成超級(jí)結(jié)。通過(guò)本發(fā)明提供的方法，能夠降低工藝成本，減弱工藝難度，提高器件的可靠性。