一種防光刻膠漂膠和裂膠的工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202210151780.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114706275A 公開（公告）日 2022-07-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN114706275A 申請(qǐng)公布日 2022-07-05
分類號(hào) G03F7/20（2006.01）I;G03F7/11（2006.01）I;G03F7/16（2006.01）I;G03F7/40（2006.01）I;G03F7/42（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 王磊;劉新鵬;李宗宴;李文喆;孫崢;付通;宋學(xué)穎;曲迪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天津華慧芯科技集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市鼎和專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 -
地址 300467天津市濱海新區(qū)生態(tài)城中天大道1620號(hào)生態(tài)科技園啟發(fā)大廈12層101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種防光刻膠漂膠和裂膠的工藝，屬于半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域，包括：S1、選取所需材料的襯底作為待加工晶圓，然后在晶圓上加工套刻標(biāo)記；S2、在晶圓上沉積過渡層；S3、對(duì)晶圓依次進(jìn)行預(yù)處理、旋涂ZEP 520A光刻膠、烘烤，然后對(duì)晶圓進(jìn)行套刻曝光，制作將目標(biāo)圖形線寬擴(kuò)大后的圖形，并對(duì)晶圓進(jìn)行顯影，最后進(jìn)行烘烤堅(jiān)膜；S4、刻蝕晶圓過渡層；S5、對(duì)晶圓進(jìn)行去膠；S6、對(duì)晶圓依次進(jìn)行預(yù)處理、旋涂ZEP 520A光刻膠、烘烤，然后對(duì)晶圓進(jìn)行套刻曝光，制作目標(biāo)圖形，并對(duì)晶圓進(jìn)行顯影；S7、沉積目標(biāo)金屬；S8、對(duì)晶圓進(jìn)行剝離；S9、去除過渡層，得到目標(biāo)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能夠防止光刻膠漂膠和裂膠。