一種防光刻膠漂膠和裂膠的工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210151780.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114706275A 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN114706275A 申請公布日 2022-07-05
分類號 G03F7/20（2006.01）I;G03F7/11（2006.01）I;G03F7/16（2006.01）I;G03F7/40（2006.01）I;G03F7/42（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I 分類 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術〔4〕;
發(fā)明人 王磊;劉新鵬;李宗宴;李文喆;孫崢;付通;宋學穎;曲迪 申請（專利權）人 天津華慧芯科技集團有限公司
代理機構 天津市鼎和專利商標代理有限公司 代理人 -
地址 300467天津市濱海新區(qū)生態(tài)城中天大道1620號生態(tài)科技園啟發(fā)大廈12層101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種防光刻膠漂膠和裂膠的工藝，屬于半導體加工技術領域，包括：S1、選取所需材料的襯底作為待加工晶圓，然后在晶圓上加工套刻標記；S2、在晶圓上沉積過渡層；S3、對晶圓依次進行預處理、旋涂ZEP 520A光刻膠、烘烤，然后對晶圓進行套刻曝光，制作將目標圖形線寬擴大后的圖形，并對晶圓進行顯影，最后進行烘烤堅膜；S4、刻蝕晶圓過渡層；S5、對晶圓進行去膠；S6、對晶圓依次進行預處理、旋涂ZEP 520A光刻膠、烘烤，然后對晶圓進行套刻曝光，制作目標圖形，并對晶圓進行顯影；S7、沉積目標金屬；S8、對晶圓進行剝離；S9、去除過渡層，得到目標結構。本發(fā)明能夠防止光刻膠漂膠和裂膠。