一種在二維材料上加工光柵的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110798895.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113448004A 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN113448004A 申請公布日 2021-09-28
分類號 G02B5/18（2006.01）I;G03F9/00（2006.01）I;G03F7/20（2006.01）I 分類 光學;
發(fā)明人 王磊;曲迪;陳帥;王俊;李宗宴;李文喆;劉新鵬 申請（專利權）人 天津華慧芯科技集團有限公司
代理機構 天津市鼎和專利商標代理有限公司 代理人 蒙建軍
地址 300467天津市濱海新區(qū)生態(tài)城中天大道1620號生態(tài)科技園啟發(fā)大廈12層101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種在二維材料上加工光柵的方法，屬于半導體材料加工技術領域，其特征在于，包括如下步驟：S1、FIB加工套刻標記；S2、SEM拍照；S3、制作加工版圖；S4、片源預處理；S5、涂膠；S6、EBL套刻；S7、顯影；S8、RIE刻蝕；S9、去膠。本發(fā)明通過FIB在待加工位置周邊直接刻蝕標記，然后將包括標記和待加工位置的SEM照片導入畫圖軟件，根據(jù)SEM照片可以直觀的判斷出待加工位置的相對坐標和方向，然后通過EBL自動套刻的方式，將圖形曝光在待加工區(qū)域。該方法可以實現(xiàn)加工位置誤差小于500nm，角度誤差小于0.1°；并且該方法工藝步驟較少，成本低，出錯率低。