一種電子束光刻制備亞微米閃耀光柵壓印模板及其方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111361056.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114089457A 公開(kāi)（公告）日 2022-02-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN114089457A 申請(qǐng)公布日 2022-02-25
分類號(hào) G02B5/18（2006.01）I;G03F7/20（2006.01）I 分類 光學(xué);
發(fā)明人 王磊;李宗宴;李文喆;劉新鵬;孫崢;楊子曦;宋學(xué)穎;曲迪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天津華慧芯科技集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市鼎和專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 蒙建軍
地址 300467天津市濱海新區(qū)生態(tài)城中天大道1620號(hào)生態(tài)科技園啟發(fā)大廈12層101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種電子束光刻制備亞微米閃耀光柵壓印模板及其方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，其特征在于，包括：S1、在片源上涂膠；S2、電子束曝光；S3、顯影；S4、SEM表征；S5、制作曝光版圖；S6、Beamer軟件模擬曝光劑量；S7、二次涂膠；S8、二次電子束曝光；S9、二次顯影；S10、堅(jiān)膜；S11、ICP刻蝕；S12、去膠。本發(fā)明提出一種可以制備周期<500nm，閃耀角曲率半徑<10nm的閃耀光柵壓模板的方法，并且周期在100nm到500nm之間和閃耀角在10°到50°之間可以連續(xù)調(diào)節(jié)。