一種雙偏振輸出量子密鑰分發(fā)光源及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010177597.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111341890B 公開（公告）日 2021-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN111341890B 申請(qǐng)公布日 2021-10-01
分類號(hào) H01L33/00（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I;H01L33/48（2010.01）I;H01L33/58（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I;H04L9/08（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曲迪;余競(jìng)航;白國(guó)人;王磊;陳帥;陳景春 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天津華慧芯科技集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市鼎和專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 蒙建軍
地址 300467天津市濱海新區(qū)生態(tài)城中天大道1620號(hào)生態(tài)科技園啟發(fā)大廈12層101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙偏振輸出量子密鑰分發(fā)光源及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，其特征在于，至少包括如下步驟：S1、以LED外延片為襯底，首先制備5～10微米寬的分隔槽，進(jìn)而將芯片分為兩個(gè)獨(dú)立的發(fā)光區(qū)域，并填充絕緣介質(zhì)進(jìn)行隔離；S2、外延片襯底上制備二氧化硅隔離層，并在發(fā)光區(qū)域周圍腐蝕出電極接觸區(qū)域；制備出兩塊金屬電極，用于實(shí)現(xiàn)兩個(gè)分區(qū)域的分別導(dǎo)通；S3、以上述分隔槽為軸，兩邊各取一個(gè)半圓形區(qū)域制備金屬線柵，組成圓形發(fā)光區(qū)域，上述圓形發(fā)光區(qū)域的直徑在20～100微米，兩邊線柵的方向相差45°；S4、最后制備出微透鏡，使兩種偏振態(tài)的輸出光匯聚。