一種多次套刻的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110718354.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113394083A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN113394083A 申請(qǐng)公布日 2021-09-14
分類號(hào) H01L21/027（2006.01）I;H01L23/544（2006.01）I;G03F7/20（2006.01）I;G03F9/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李宗宴;王磊;李文喆;劉新鵬;曲迪 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天津華慧芯科技集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津市鼎和專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 蒙建軍
地址 300467天津市濱海新區(qū)生態(tài)城中天大道1620號(hào)生態(tài)科技園啟發(fā)大廈12層101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種多次套刻的方法，屬于半導(dǎo)體微納制造技術(shù)領(lǐng)域，包括：清洗基片；在基片上旋涂電子抗蝕劑；電子束曝光圖形并同時(shí)在需要套刻圖形附近曝光mark標(biāo)記陣列；對(duì)旋涂電子抗蝕劑顯影；對(duì)第一次套刻的圖形及mark同時(shí)刻蝕；去除電子抗蝕劑；在基片上旋涂電子抗蝕劑；使用上一次加工的需套刻位置附近的刻蝕mark作為套刻標(biāo)記，電子束套刻圖形并同時(shí)曝光mark標(biāo)記陣列；對(duì)旋涂電子抗蝕劑顯影；對(duì)上一次套刻的圖形及mark同時(shí)刻蝕；去除電子抗蝕劑；完成最后一次套刻及刻蝕。本發(fā)明解決了相鄰兩次套刻偏差的累積、及場(chǎng)拼接導(dǎo)致mark和圖形相對(duì)位置偏差的影響，提高了套刻精度，也可解決mark被污染影響套刻精度的問(wèn)題。