一種低介電常數薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410831283.4 申請日 -
公開（公告）號 CN104498900A 公開（公告）日 2015-04-08
申請公布號 CN104498900A 申請公布日 2015-04-08
分類號 C23C16/44(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 姜標 申請（專利權）人 上海愛默金山藥業(yè)有限公司
代理機構 上海新天專利代理有限公司 代理人 鄔震中
地址 201505 上海市金山區(qū)亭林鎮(zhèn)南金公路5878號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于集成電路制造技術領域，具體涉及一種多孔低介電常數薄膜的制備方法。系以雙-(三乙氧基硅基)甲烷和甲基三乙氧基硅烷作為混合骨架前驅體，以雙戊烯作為成孔劑，采用等離子體增強化學氣相沉積工藝，通過調節(jié)襯底溫度、射頻功率、反應腔中工作壓強等，沉積得到有機-無機雜化薄膜；然后對該薄膜進行熱退火處理，使得部分有機組分發(fā)生熱分解而除去，得到多孔低介電常數材料薄膜。通過調整兩種骨架前驅體的比例，可以實現(xiàn)對薄膜骨架結構的控制，使薄膜具有良好的電學性能、力學性能及抗吸水性能的組合。制備的薄膜介電常數為2.3～2.5，1MV/cm場強下的漏電流密度處于10-8～10-9A/cm2數量級范圍內，擊穿場強大于3MV/cm，楊氏模量為5～7GPa，硬度為0.6～0.8GPa。