硅基GaNHEMT器件面板級(jí)扇出型封裝結(jié)構(gòu)及方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110726218.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113314480A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN113314480A 申請(qǐng)公布日 2021-08-27
分類(lèi)號(hào) H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉家才;霍炎;謝雷;羅鵬;熊元慶 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 成都氮矽科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都點(diǎn)睛專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 敖歡
地址 610094四川省成都市中國(guó)（四川）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)成都高新區(qū)天府二街138號(hào)1棟35樓3502
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種硅基氮化鎵（GaN）HEMT器件面板級(jí)扇出型封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，包括硅基GaN HEMT芯片，芯片的四周和正面被第一塑封料包裹，底部金屬層為第一散熱通道，硅基GaN HEMT芯片正面輸入輸出口上方的銅線(xiàn)路為第二散熱通道。本發(fā)明用銅線(xiàn)路將芯片的輸入輸出口引出，與傳統(tǒng)焊線(xiàn)封裝工藝中用金線(xiàn)或銅線(xiàn)引出輸入輸出口相比，大大減小了封裝帶來(lái)的寄生電阻和電感，使得產(chǎn)品應(yīng)用頻率的上限進(jìn)一步提升。芯片背面與金屬散熱片直接相連，提供除芯片底部以外的另外一個(gè)散熱通道，大大降低了封裝熱阻，解決了硅基GaNHEMT器件正面散熱困難的問(wèn)題。