一種用于ESD防護(hù)的雙向雙回滯SCR器件及設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110723191.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113451295A 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN113451295A 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L27/02（2006.01）I;H01L29/74（2006.01）I;H01L29/747（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 葉平平;朱小安;邵宇;易永財(cái) 申請（專利權(quán)）人 深圳礪芯半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市恒程創(chuàng)新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張小容
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道深圳市科技園北區(qū)朗山二路金匯球大廈5樓513室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于ESD防護(hù)的雙向雙回滯SCR器件及設(shè)備。SCR器件包括：N型外延、第一P阱區(qū)、第二P阱區(qū)、第一N+接觸區(qū)、第二N+接觸區(qū)、第一二極管及第一電極；第一P阱區(qū)與第二P阱區(qū)均位于N型外延上方，且第一P阱區(qū)與第二P阱區(qū)隔離設(shè)置，第一N+接觸區(qū)位于第一P阱區(qū)內(nèi)部上方，第二N+接觸區(qū)與第一N+接觸區(qū)隔離設(shè)置，且第二N+接觸區(qū)部分位于第一P阱區(qū)及N型外延，第一二極管的負(fù)極連接第二N+接觸區(qū)，第一二極管的正極連接第一電極。由于第二N+接觸區(qū)及第一二極管，使得器件通過第一次弱回滯得到高維持電壓，從而避免了閂鎖現(xiàn)象，第二次強(qiáng)回滯得到低維持電壓，從而降低了SCR器件的功耗，提高了SCR器件的魯棒性。