一種高導(dǎo)通低漏電的肖特基芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921868925.2 申請日 -
公開（公告）號 CN210516734U 公開（公告）日 2020-05-12
申請公布號 CN210516734U 申請公布日 2020-05-12
分類號 H01L29/872;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 薛濤;關(guān)仕漢;遲曉麗 申請（專利權(quán)）人 淄博漢林半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 淄博佳和專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 商曉
地址 255086 山東省淄博市高新區(qū)政通路135號高科技創(chuàng)業(yè)園C416室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高導(dǎo)通低漏電的肖特基芯片，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括襯底，在襯底表面設(shè)置有外延層，在外延層中部形成肖特基界面（4），其特征在于：所述的外延層包括第一外延層和第二外延層，在肖特基界面（4）下部的第二外延層內(nèi)間隔設(shè)置有多個(gè)第二單晶硅區(qū)（5），在每一個(gè)第二單晶硅區(qū)（5）的下方分別設(shè)置有第一單晶硅區(qū)（3），第二單晶硅區(qū)（5）的寬度大于其底部對應(yīng)的第一單晶硅區(qū)（3）的寬度。在本高導(dǎo)通低漏電的肖特基芯片中，設(shè)置有兩層外延層，并通過設(shè)置第一單晶硅區(qū)和第二單晶硅區(qū)，可以有效阻斷反向電流，同時(shí)有效增大肖特基界面的面積，降低了正向?qū)ǖ碾娮?，因此增大了正向?qū)娏鳌?/td>