一種新型雙溝槽的肖特基二極管
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021477848.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212542446U | 公開（公告）日 | 2021-02-12 |
| 申請公布號 | CN212542446U | 申請公布日 | 2021-02-12 |
| 分類號 | H01L29/872(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 薛濤;關(guān)仕漢;遲曉麗 | 申請（專利權(quán)）人 | 淄博漢林半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 淄博川誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高鵬飛 |
| 地址 | 255086山東省淄博市高新區(qū)政通路135號高科技創(chuàng)業(yè)園C416室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種新型雙溝槽的肖特基二極管，包括N+型襯底和N?型外延層，所述N+型襯底上表面設(shè)置有N?型外延層，所述N型外延層上表面的芯片外圈對稱開設(shè)有1個(gè)或多個(gè)降壓環(huán)，所述N?型外延層上表面的中心處均勻開設(shè)有第一溝槽，所述N?型外延層上表面位于所述兩個(gè)第一溝槽之間開設(shè)有第二溝槽，所述降壓環(huán)和第一溝槽內(nèi)壁設(shè)有氧化硅絕緣層，所述降壓環(huán)和第一溝槽內(nèi)部均填充有多晶硅；本實(shí)用新型通過在N?型外延層表面設(shè)置第一溝槽和第二溝槽，采用雙溝槽設(shè)計(jì)，通過第一溝槽可以在芯片反向通電流時(shí)有效阻斷電流，通過第二溝槽可有效增大肖特基界面的面積，大大的增加了導(dǎo)電面積減小正向壓降，提高產(chǎn)品導(dǎo)通時(shí)的效率。?? |
