精簡(jiǎn)光刻Split-GateMOSFET芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202021818076.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN212542445U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-02-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN212542445U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-12 |
| 分類號(hào) | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 關(guān)仕漢;薛濤;遲曉麗 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 淄博漢林半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 淄博川誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高鵬飛 |
| 地址 | 255086山東省淄博市高新區(qū)政通路135號(hào)高科技創(chuàng)業(yè)園C416室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種精簡(jiǎn)光刻Split?Gate MOSFET芯片，包括N+襯底和N?外延，N?外延內(nèi)設(shè)有有源區(qū)溝槽及終止區(qū)溝槽，其特征是，所述的終止區(qū)溝槽寬度為有源區(qū)溝槽寬度的5?30倍。本實(shí)用新型采用新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使原來(lái)的7道光刻制程簡(jiǎn)化為5道光刻，大大降低了制作成本。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)亦可適用于其它溝槽式元件相類似的架構(gòu)。?? |
