一種任意結構的肖特基芯片及肖特基二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821246097.4 申請日 -
公開（公告）號 CN208861996U 公開（公告）日 2019-05-14
申請公布號 CN208861996U 申請公布日 2019-05-14
分類號 H01L29/872（2006.01）I; H01L21/329（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 薛濤; 關仕漢 申請（專利權）人 淄博漢林半導體有限公司
代理機構 淄博佳和專利代理事務所 代理人 孫愛華
地址 255086 山東省淄博市高新區(qū)政通路135號高科技創(chuàng)業(yè)園C416室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種任意結構的肖特基芯片及肖特基二極管，屬于半導體技術領域。包括襯底（8）以及襯底（8）表面的外延層（7），在外延層（7）表面設置有肖特基界面（6），其特征在于：在肖特基芯片（3）外側的任意位置切割形成切割面（10），在切割面（10）表面設置有絕緣層。在本任意結構的肖特基芯片及肖特基二極管中，通過設置絕緣層，取代了傳統(tǒng)的耐壓環(huán)，因此避免了耐壓環(huán)中因彎曲弧度部位而導致的耐壓性能降低的缺陷，同時在進行晶元切割時可以在任意位置進行切割，提高了芯片切割的靈活性，降低了工藝難度同時保證了耐壓強度。