一種高導(dǎo)電效率的GaN基HEMT芯片及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110631801.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113257894A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113257894A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-13 |
| 分類號(hào) | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/778;H01L21/335 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 遲曉麗;關(guān)仕漢;薛濤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 淄博漢林半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 淄博川誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高鵬飛 |
| 地址 | 255000 山東省淄博市高新區(qū)政通路135號(hào)高科技創(chuàng)業(yè)園C416室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種高導(dǎo)電效率的GaN基HEMT芯片及其制備方法，包括硅基襯底，外延層，所述外延層包括GaN外延層和AlGaN外延層，所述GaN外延層表面均勻開(kāi)設(shè)有溝槽，所述AlGaN外延層固定連接于GaN外延層表面開(kāi)設(shè)的溝槽中，其中，所述GaN外延層固定連接于硅基襯底頂端表面；本發(fā)明通過(guò)采用GaN外延層刻蝕溝槽的方法實(shí)現(xiàn)了凹凸不平的AlGaN/GaN外延層設(shè)計(jì)，增加了AlGaN外延層和GaN外延層接觸面積，增加了外延層中的二維電子氣密度，提高了芯片導(dǎo)通的電流密度，提高了GaN基HEMT芯片的導(dǎo)電效率；同時(shí)該設(shè)計(jì)也增加了AlGaN外延層和GaN外延層接觸面積，增加了外延層中的二維電子氣面積，在兼顧了芯片的耐壓能力下，該設(shè)計(jì)可節(jié)省部分芯片面積，可降低GaN基HEMT芯片的成本。 |
