一種ONO制程的Splt-GateMOSFET芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120330680.9 申請日 -
公開（公告）號 CN214753773U 公開（公告）日 2021-11-16
申請公布號 CN214753773U 申請公布日 2021-11-16
分類號 H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 關(guān)仕漢;薛濤 申請（專利權(quán)）人 淄博漢林半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 淄博川誠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 高鵬飛
地址 255086山東省淄博市高新區(qū)政通路135號高科技創(chuàng)業(yè)園C416室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種ONO制程的Splt?Gate MOSFET芯片,包括N+襯底和N?外延，N?外延內(nèi)設(shè)有有源區(qū)溝槽及終止區(qū)溝槽；有源區(qū)溝槽內(nèi)壁設(shè)有第一氧化層、氮化硅層、第二氧化層以及第一多晶硅，第一多晶硅上有第三氧化層，第三氧化層上填充第二多晶硅，第二多晶硅外層溝槽壁上設(shè)有柵氧層；終止區(qū)溝槽內(nèi)壁設(shè)有第一氧化層、氮化硅層、第二氧化層以及第一多晶硅，第一多晶硅上有第三氧化層；本實用新型采用新的制程及結(jié)構(gòu)設(shè)計使原來的七道光刻制程簡化為五道光刻，大大降低了制作成本，使用ONO制程使用常規(guī)設(shè)備即可完成避免使用氧化物沉積（HDP）設(shè)備降低成本，且將有源區(qū)溝槽底部以及終止區(qū)溝槽使用氧化硅、氮化硅以及氧化硅三層絕緣，大大提高產(chǎn)品的耐壓能力及可靠性。